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数量:550 |
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| 规格书 |
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| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 30A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 23 mOhm @ 30A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.2V @ 11µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 10nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1600pF @ 30V |
| 功率 - 最大 | 36W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-2 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 30 A |
| 系列 | IPB230N06 |
| RDS（ON） | 23 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 功率耗散 | 36 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | TO-263 |
| 典型关闭延迟时间 | 19 ns |
| 零件号别名 | IPB230N06L3GATMA1 |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 宽度 | 9.25 mm |
| 下降时间 | 3 ns |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 30 A |
| 长度 | 10 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 23 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
| 身高 | 4.4 mm |
| 典型导通延迟时间 | 9 ns |
| Pd - Power Dissipation | 36 W |
| 上升时间 | 3 ns |
| 技术 | Si |
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